1. 3纳米芯片，3nm芯片与28nm芯片的区别？

3nm芯片与28nm芯片有以下几点区别。

1、在制程方面，3nm芯片为先进制程芯片，28nm芯片为成熟制程芯片。

2、在应用方面，我们日常生活中的很多芯片都还是基于28nm及以上的成熟制程。包括目前最为热门的5G网络、人工智能、新能源汽车、特高压产业等，而且28nm芯片在性能、能耗方面的性价比超高。

3、在制造方面，28nm芯片台积电，三星，中芯国际等芯片代工厂都可以量产，3nm芯片只有台积电，三星正在研制，均未量产。

2. iphone8是几纳米芯片？

iphone8搭载的A11 Bionic是10纳米芯片。

苹果IPhone 8采用了6核心的A11 Bionic处理器，使用TSMC 10纳米制程工艺技术，比A10强25%，三核心图形GPU提升30%，功耗下降50%；四个能效核心速度比A10 Fusion最高提升 70%，两个性能核心也有了最高达25%的速度提升。

3. 3纳米芯片什么时候才能普及？

根据当前科技发展的趋势和预测，3纳米芯片的普及可能需要一定的时间。目前，3纳米芯片仍处于研发阶段，需要经过大规模生产和商业化的过程。通常，新一代芯片的普及需要几年的时间，因为需要进行测试、验证和适应市场需求。因此，预计3纳米芯片的普及可能需要至少5到10年的时间，具体时间取决于技术进展和市场需求的变化。

4. 3纳米与7纳米的区别？

3纳米和7纳米是两种不同的制程技术，用于制造集成电路芯片。它们的主要区别在于制程尺寸的不同，即代表了晶体管的尺寸。以下是它们的一些区别：

1. 制程尺寸：3纳米制程相对于7纳米制程，晶体管的尺寸更小，表示晶体管结构更加紧密，具有更高的集成度和更大的晶体管数量。

2. 性能：3纳米制程相对于7纳米制程在性能方面有所提升。由于晶体管结构更加紧密，电流可以更快地流动，使得芯片的运行速度更快。此外，3纳米制程可能也会提供更低的功耗，延长电池寿命。

3. 效能和效益：3纳米制程相对于7纳米制程更加先进，但也更加昂贵和复杂。使用3纳米制程制造芯片需要更高的投资和更复杂的制造工艺，这可以导致芯片的成本更高。因此，制造商需要权衡芯片的效能和生产成本之间的平衡。

4. 散热和功耗：由于3纳米制程集成度更高，晶体管更多，因此可能会产生更多的热量。这对散热和功耗管理提出了更高的要求，制造商需要通过散热设计和功耗优化来应对。

总的来说，3纳米制程相对于7纳米制程在性能方面有所提升，但也伴随着更高的成本和技术挑战。随着技术的进步，3纳米制程有望推动芯片技术的发展，提供更先进的电子产品。

5. 中国要造出5nm的光刻机需要多长时间呢？

光刻机，就是用光线在硅晶圆上刻画出电路图来。所以最核心的分为两方面：一是技术，二是工艺。落实到具体的对象上，就是镜头和激光光源，以此来分析中国在这两项技术上的所需的进程，就能大致了解中国造出5nm的光刻机需要多长时间了。

为何非要5nm这个参数级的光刻机

中国的中芯国际最近向荷兰的ASML成功订购了一台光刻机，但生产最高极限是7nm的芯片，要想突破7nm的这个技术瓶颈，就必须使用EUV（极紫外光源）技术，这所购的这台光刻机不含EUV光源的技术。

不是可以买吗？但买到。因为：

EUV（极紫外光源）研究是多个国家参与的（包括美国）。根据《瓦森纳协定》美国就可以决定不卖给你。

上面说的中芯国际订购的7nm芯片的光刻机，如果美国要使坏，要想成功订购也是不容易的。

20年前明确的目标，是5nm的EUV光刻机研发的最佳时间

早在1999年，EUV光刻机的地位就已经很明确了，谁有了EUV光刻机的技术，谁就有了芯片领域的未来。1997年的时候，美国的多家企业就发现了EUV技术商业价值，就联合进行了开发，也已明确了目标，这是全世界都不是什么秘密，中国没有进行相应的产业调整和重视。

研发5nm的EUV光刻机所需的资源

5nm的光刻机，必然要用到EUV技术，美国研发的最早，我们看一下世界范围内关于EUV技术研究和投入的情况：

1、美国

美国对EUV技术的研发时间最长，总共投入了50多个高校和科技企业进入到这个领域，最终在EUV光刻机领域，美国的占领先地位，收益也是最大的。

2、欧洲

对于EUV光刻机看的最重，联合了35个国家，共110多个高校和企业加入到研究的行列中。

3、日本和韩国

投入相对较小，但也有一定的成果

就是说，EUV（紫外光源）的研究是多个国家参与的，包括了美国、欧洲多国还有日本、韩国，美国出力最多，所以不买给中国。

结论：几十个国家，上百所研究单位，花费了20多年的时间，才研发出今天的EUV光刻机，实现了5nm级别制程的芯片。

到底研究了啥

要生产EUV光刻机，最关键和核心的研究课题有两个：镜头和激光光源。

1、镜头

现在世界上高端光刻机使用的是德国的卡尔蔡司光学镜头，世界上没有哪家公司能够复制卡尔蔡司的技术。

从长远观点看，中国也应发展自己的高端镜头产业，但中国与德国的关系还算可以， 不妨先拿来用，一边用一边研究，这样可以减少研发时间。

2、激光光源

这个核心技术是必须研究的，因为美国把持着《瓦森纳协定》，中国处在被禁运国家之列。就是说只要美国干预，中国将无法获得EUV光刻机。

因为这个EUV技术，美国和欧洲几十个国家（包括日本和韩国）研究了20多年，中国需要用多久呢？心里应该有一个底了吧。

综上所述，中国要研发EUV技术需要投入相当大的资源，当然中国是一个工业部门齐全的大国，集中力量办大事是中国制度的优点，但是，研发需要遵重科学规律，要有一个过程，像欧美日韩都需要近20年时间，那们打个折扣，总需要10年吧。

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6. 14nm水平的芯片和3nm的芯片在应用上到底有什么差别？

14纳米制程的芯片和3纳米制程的芯片到底有什么区别？需要从制程工艺说起，那么什么是制程工艺呢？

芯片是利用光刻机等设备在硅晶圆上光刻电路，用各种工艺做成大量场效应晶体管的一个规模庞大的处理单元，所谓的14纳米制程，并不是指这些场效应晶体管的尺寸，也不是指场效应晶体管之间的间距，而是指单个场效应晶体管栅极材料的长度，当然栅极材料长度越小，晶体管尺寸也就越小，间距也就越小，根据摩尔定律，每间隔18～24个月，芯片内部晶体管数量会翻一倍，性能也会跟着翻一倍，目前已经实现了7nm制程的芯片量产，5纳米制程有望在2020年实现量产，而3纳米制程目前还没有能力实现量产，5纳米以下的制程，漏电和量子效应会使芯片难以控制，目前研发人员正在寻找新的工艺解决这一些难题，相信不久就能实现。

那么14纳米和3纳米芯片在运用上有哪些差别呢？主要有以下几点：

1、晶体管规模。栅极尺寸变小，同样面积的芯片内部可以容纳更多的晶体管，以苹果7纳米制程的A13和正在研发的5纳米制程A14芯片为例，A13有85亿个晶体管，A14晶体管数量将突破150亿。这带来的最直接的效果是处理能力更快，毕竟150亿个晶体管干活比85亿个晶体管干活效率更高，更别说14纳米的芯片了。

2、功耗和散热。晶体管栅极越小，距离越近，电能损耗约小，同时散热越小，可以节约能源和减少散热。

3、节约制造成本。因为芯片面积变小了，同样大小的晶圆可以光刻更多的芯片，节省了很多材料。

总的来说，制程工艺的进步使芯片越来越小，越来越省电，发热越来越小，但是性能越来越强，在运用中可以设备做的更小，所以现在的电子产品越来越轻薄，性能却越来越强。

7. 世界芯片nm技术发展史？

芯片制造企业发展简史：

1）2001年，当时的芯片制程工艺是130纳米，我们那时候用的奔腾3处理器，就是130纳米工艺。

2）2004年，是90纳米元年，那一年奔腾4采用了90纳米制程工艺，性能进一步提升。

而当时能达到90纳米制成工艺的厂家有很多，比如英特尔，英飞凌，德州仪器，IBM，以及联电和台积电

3）2012年制程工艺发展到22纳米，此时英特尔，联电，联发科，格芯，台积电，三星等，世界上依旧有很多厂家可以达到22纳米的半导体制程工艺。

4）2015年成了芯片制成发展的一个分水岭，当制程工艺进入14纳米时，联电（台湾联华电子）止步于此。

5）2017年，工艺步入10纳米，英特尔倒在了10纳米，曾经的英特尔芯片制程独步天下，台积电三星等都是跟在屁股后面追赶的。

但是当工艺进入10纳米后，英特尔的10纳米芯片只能在低端型号机器上使用，英特尔主力的I5和I7处理器，由于良率问题而迟迟无法交货。

而在7纳米领域，英特尔更是至今无法突破，而美国另一家芯片代工巨头“格芯”，也是在7纳米处倒下的。

6）2018年，工艺步入7纳米

格芯宣布放弃7纳米，在前文“敌人不会仁慈”中，提到，格芯是美国军方2016-2023年的合作伙伴，美国军方和航太工业所需要的芯片等都是包给格芯代工的。

但是因为7纳米研发成本和难度太大，格芯最终决定放弃7纳米。

于是这才出现了美国政府将“台积电”纳入美军合作伙伴中，并且准备和台积电签署2024年后与美国政府的芯片代工伙伴协议。

因为7纳米技术，台积电被美国政府视为“自己人”，而为了长期供货美国，台积电也宣布了120亿美元的赴美建厂计划。

美国自己的代工老大英特尔倒在10纳米，格芯倒在7纳米，而进入更难的5纳米，只剩下三星和台积电。

7）2019年发布6纳米量产导入，2020工艺进入5纳米量产

但三星5纳米年初才首发，离量产和高良率还有一大段路要走，之前提过芯片代工，首发，试产，正式量产，这三阶段一个比一个重要。

三星在14纳米的良率比不上台积电，在10纳米的效能比不上台积电，在7纳米的研发制程比不上台积电。

你只有达到正式量产且高良率的时候，才能谈成功，目前台积电是全世界唯一一个有能力量产5纳米的代工厂。

纵观整个芯片工艺制程的发展之路，真的是斑斑血泪，即便强大如IBM，英特尔，格芯等国外大厂也是说倒下就倒下，说放弃就放弃

这是一项非常艰难的工程，不成功是大概率的，而成功则需要真正意义上的用命杀出一条血路。

8）台积电规划2022年3纳米导入量产，绝对的独步天下

9）中芯国际2019年量产14纳米芯片

回到中国大陆，目前中芯国际是唯一一家能拿得出手的半导体代工企业，中芯国际的14纳米工艺芯片，力供华为。

而在更进一步的7纳米领域（性能比14纳米提高20%，耗能降低50%），中芯仍然挑战重重，年底试产，但离量产还比较远。

但这已经非常不容易了，世界上只剩三家7纳米的玩家了，一家台积电，一家三星，一家中芯。

10）美国技术含量

从卡脖子来看，包含美国技术的不能给实体清单企业供货（包括代工），台积电7纳米技术美国技术含量不到10%，5纳米技术美国含量不到3%；三星、中芯美国技术含量更高，因此世界上还不存在不包含美国技术的代工企业；换句话说就是，美国可以让任何企业得不到芯片，得不到芯片也就代表了企业因为缺芯而休克。

11）建立不包括美国技术的芯片制造

这个难度非常大，需要有强有力的组织者和强有力的各工业链的参与方，强大的资金和技术投入，经过艰苦绝伦的5-10年才可能同步到业界的7、5、3纳米。难度之大可见一斑。

12）乐观一点

摩尔定律发展到极限了，极限的发展会非常缓慢，3纳米量产需要3年以上时间，2纳米、1纳米需要更长时间。

说明这些优秀公司会在终点等一段时间，中国企业需要加油啦。

当然，会有新的架构发展，中国应该抓住起点机会在起点就拼命参与，不要再产生差距。