1. 中国光刻机，中兴通讯光刻机是真的吗？

中兴通讯拥有光刻机。

光刻机是芯片制造的核心设备之一，也是技术壁垒最高的设备之一。由于在制造芯片过程中需要利用光刻机将芯片设计图案曝光到硅片上，因此光刻机也被称为芯片制造的“心脏”。目前，高端光刻机市场主要由荷兰的ASML和日本的Canon两家公司垄断，国内企业在光刻机领域的研究相对落后。

然而，中兴通讯作为国内领先的通信设备制造商，在光刻机领域也有所涉足。中兴通讯在光刻机领域拥有一定的技术积累和研发实力，并已成功研发出多款光刻机产品。这些产品主要面向通信行业和电子制造行业，用于制造各种通信芯片和消费电子芯片。

需要注意的是，虽然中兴通讯在光刻机领域拥有一定的技术实力，但在高端光刻机领域与国际领先企业相比还存在较大差距。同时，由于光刻机是芯片制造的核心设备之一，其技术难度和研发成本极高，需要长期的技术积累和投入才能取得突破。因此，国内企业在光刻机领域的研发和生产还需要不断加强和提升。

2. 国内进口的光刻机最高多少nm？

国内进口的光刻机最高可达到几十纳米级别。光刻技术是半导体制造中至关重要的工艺，用于制造微电子器件。目前，国内进口的光刻机已经能够实现亚微米级别的精度，最高可达到几十纳米。这种高精度的光刻机在集成电路制造、光学器件制造等领域具有广泛的应用前景，对于推动我国高科技产业发展具有重要意义。

3. 15年破解所有芯片技术？

光刻机技术不是一朝一夕的，因为光刻机是一个尖端技术结合体，不是说你某一样突破了，光刻机技术就能突破，光刻机技术难度在于精密度和稳定性，这两样看起来不是特别难，现实中却是最难的，为什么这样说呢，精密度就是涉及到精密机床加工技术，稳定性其实就是材料技术 。

这两样都涉及到基础科技，什么东西最难，其实就是打基础是最难的，基础打好了技术突破进步了，尖端技术方面也会跟着突破出去，我们现在的难题就是基础问题上面并不是说我们不舍得花钱，其实有钱并不代表说短时间内能有改变，原本这些就是系统性的东西，关联到的方方面面太多太广。

我们自主生产出来的光刻机，在市场上正式运用的，其实只有九十纳米级别，二十八纳米技术的都还只是在实验室里面，几年前就说已经突破了，几年后还是老样子，这并不是说我们的科技人员不努力，而是证明了光刻机技术的难题的确很难，不是说你想突破就能突破的。

现在最先进的光刻机已经达到五纳米量产，我们28纳米技术还在实验室里面，所以说想要有实质性的突破接近现在最先进技术其实很难很难，三年之内28纳米技术能走出实验室其实就非常厉害了，也许28纳米走出实验室也算是一种突破或者成功吧，但是想要说到达十四纳米或者七纳米三年是远远不够的十五年到七纳米也许有机会。

有一个半导体领域的重要人物说过，我们这些年的半导体领域投入非常大，政策上面的扶持，让我们的半导体领域取得了前所未有的发展机遇，但是由于前面的空白期太久，加上技术经验积累不够，现在想要完成比较完整的半导体产业链，短时间内很难，大约需要15年左右的时间打好这个领域的基础。

15年的时间只是接近或者完成现在世界的水平，十五年后世界半导体领域上面的技术发展会走得更远，所以我们努力不是只有十五年，而是十五年是初步计划，后续我们还会更努力的去发展进步，十五年完成半导体产业链建设，这个是有很大的成功率的，在完成了产业链建设，剩下的就是赶超最先进技术的方向去努力，这个需要漫长的过程，不是一朝一夕的事情。

我们在新世纪开始吸收了世界半导体领域技术，积累了一定的经验，在新世纪的前二十年时间里面我们，我们已经把半导体产业链领域里面的超过一半的技术破解，也就是说我们已经掌握了有一半的半导体领域技术，这些不用担心受制于人，但是还有剩下的接近一半左右的技术需要破解，剩下的这些也是难度最大的，所以十五年的时间也应该差不多，只是光刻机三年突破基本上不可能。

4. 中国光刻机有多厉害？

中国最牛的光刻机生产商是上海微电子装备公司（SMEE），它可以做到的最精密的加工制程是90nm，相当于2004年最新款的 intel 奔腾四处理器的水平。别小瞧这个90nm制程的能力。这已经足够驱动基础的国防和工业。哪怕是面对“所有进口光刻机都瞬间停止工作”这种极端的情况时，中国仍然有芯片可用。

5. 为什么唱衰中国光刻机制造？

做任何事情不能盲目自大，但也不能妄自菲薄。

一直以来我相信绝大多数人都没有唱衰中国光刻机制造，只是大多数人觉得我国光刻机跟世界顶尖水平有很大的差距而已，毕竟这是一个事实。

实际上一直以来我国都有自己的光刻机，我国光刻机研究始于上世纪60年代，直到80年代初的时候，我国光刻机仍然处于世界比较先进的水平，当时跟美国最顶尖的光刻机水平只差几年时间。

只是后来改革开放之后，我国可以直接进口外国的一些光刻机，而且进口的这些光刻机技术更先进，成本又更低，所以没有企业愿意投入更多的资金去研发国内的光刻机。

结果导致我国光刻机的技术跟日本，美国以及荷兰的技术差距越来越大，特别是荷兰ASML成功研发出EUV光刻机之后，我国跟他们的差距更是越拉越大。

直到本世纪初，我国又重新开始重视起光刻机的研究起来，所以目前我国光刻机是可以独立自主生产的，只是我们生产出来的光刻机精度没有那么大。

目前我国真正实现量产的最高制程光刻机是90纳米，虽然28纳米光刻机已经研发成功，但预计要等到2021年底才能够正式量产。

而目前全球最顶尖的光刻机制造商ASML已经拥有成熟的7纳米EUV光刻机，同时他们也正在研发5纳米以及3纳米的光刻机。

所以目前我国的光刻机技术跟全球最顶尖的水平至少差三代以上。

不过最近几年我国在光刻机研究方面已经取得了不少积极的成果，比如清华大学研究出了光刻机双工作台，这使得我国成为全球第二个具备开发双工作台光刻机的国家。

再比如2018年11月，由中国科学院光电技术研究所所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，该装备采用365nm波长的紫外光单次成像，实现了22纳米的分辨率，结合双重曝光技术后，未来还有可能用于制造10nm级别的芯片，这为我国芯片加工提供了全新的解决途径。

2019年4月，武汉光电国家技术研究中心甘棕松团队采用二束激光在自主研发的光刻胶上突破了光束衍射极限，采用远场光学的办法，成功刻出9nm线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新，这个技术突破让我国打破了三维纳米制造的国外技术垄断，在这个全新的技术领域内，我国从材料、软件到光机电零部件都不再受制于人。

再比如前段时间中科院苏州纳米所在5纳米激光光刻技术上也取得了新的突破。

这些成就的取得都表明目前我国在光刻机技术研究方面正在不断突破，跟国际顶尖的水平正在逐步缩小。

虽然目前我国光刻机跟全球顶尖水平仍然有很大的差距，但我相信在我国科研人员的努力之下，终有一天我们会实现光刻机技术的全新突破的。

正如以前西方国家也曾经对我国进行大量的技术封锁，比如导弹、卫星，航母等方面，西方国家都对我国进行技术封锁，但在西方对我国采取封锁的350项技术当中，目前绝大部分技术已经被我国突破，而且这些突破都是我国完全独立自主研发出来的。

所以我们要相信我国的科研人员，过去几十年我国经济快速发展，大多数人更关注的是产能而忽略了核心技术。但最近几年随着我国产业结构的调整升级，技术研发已经越来越受到全社会的关注，当全社会集中精力去做一件事情的时候，我相信再难的事情，我们迟早都会取得突破的。

6. 中国光刻机最高精度多少？

国产光刻机精度只有90nm。

作为制造强国，我国许多行业对于90nm及以下制程的芯片，有着广泛的需求。电视机、智能家电、功能手机、智能机械设备等，都需要用到精度不高芯片。这些行业的巨量需求，要求国产90nm光刻机，必须存在。唯有这样，才能更好的满足，我国低端芯片用户的需求，不用跑到外国花费更多的钱去进口。

7. 顶级光刻机都有哪些部件？

一台高端的光刻机由上万个零部件构成，光刻机的主要核心部件主要分为两个部分：分别是对准系统和紫外光源。

目前对准系统主要有两大难题，精密的机械工艺和对准显微镜系统。精密的机械工艺目前只有美国、德国少数国家有这方面的专利，而对准显微镜系统其实就是镜片，在这方面我国一直处于落后的状态。

关于紫外光源，光刻机对光源的要求十分高，一是要有适当的波长，二是光要有足够的能量，三是光能量且必须要均匀的分布在曝光区。